4. Lasery v mikroelektronice

Od počátku sedmdesátých let se začaly objevovat technologie jako laserové dolaďování jmenovitých hodnot odporů, kondenzátorů a elektrických filtrů, odpojení poškozených obvodů v polovodičových pamětech, laserového rýhování pro dělení podložek z keramiky, křemíku nebo arsenidu galia. Všechny uvedené technologie jsou založeny na odstranění tenké vrstvy materiálu formou jeho vypaření, k čemuž dochází následkem ozáření intensivním laserovým svazkem. V těchto aplikacích se uplatňuje obvykle impulsní Nd:YAG laser s délkou impulsu v oblasti stovek nanosekund (10^-9 sec). Dále se pro mikroelektroniku rozvíjejí metody laserového dopování příměsí do substrátu - zářením je rozložen nad povrchem substrátu plyn obsahující dopující příměs při současném místním roztavení podložky. Zářením uvolněný dopant pak difunduje do podložky. Laserem jsou opravovány poškozené matrice pro litografii, odstraňovány nečistoty s povrchu materiálu, iniciován růst křemíku na izolační vrstvě SiO₂ atd. Nové typy mikroelektronických součástek lze vytvářet laserovou depozicí tenkých vrstev, kdy je materiál terče odpařen laserovým svazkem, přičemž páry kondenzují na podložce a vzniklá tenká vrstva je stechiometricky shodná s materiálem terče. Jsou deponovány supravodivé, feroelektrické a feromagnetické vrstvy a vícevrstvové struktury. Z vrstev jsou zhotovovány např. nové druhy nedestruktivních pamětí, supravodivé kvantové magnetometry atd.

Zpět: 3.6 Laserové kalení O úroveň výše: Aplikace laserů Pokračovat: 5. Laser v měřící technice