V iontovém zdroji vznikají z vhodné látky, jeµ je ve zdroji u.místěna nebo v plynném stavu do zdroje přiváděna, různé kombinace iontů. Extrakční, urychlovací a fokusační elektrody vytvoří svazek urychlených iontů. Ze v±ech iontových kombinací extrahovaných z iontového zdroje je třeba vyčlenit ionty poµadované implantační příměsi. K tomu slouµí separátor iontů se clonou. Jako separátor iontů se obvykle pouµívá elektromagnet, mezi jehoµ pólovými nástavci iontový svazek prochází, a v nastaveném magnetickém poli se ±těpí na dráhy s různým poloměrem v závislosti na poměru náboje a hmotnosti iontů. V dal±í části implantačního zařízení dochází k rozmítání separovaného iontového svazku ve dvou vzájemně kolmých směre ch, čímµ je dosahována implantace do celé poµadované oblasti s vyhovující homogenitou implantační fluence. Objekty určené k implantaci jsou uchyceny ve vhodném drµáku v terčové komoře. Pro současmé vysokoproudové implantátory se pouµívá mechamického rozmítání, kdy svazek je stacionární a rovnoměrná implantace do celých poµadovaných oblastí je zaji±.ována pohyby terčové části. Jsou pouµívány téµ hybridní Systémy, ve kterých je rozmítání v iednom směru zaji±.ováno mechanicky (např. rotací bubnu nebo disku, na kterém jsou uchyceny objekty určené k implantaci) a ve druhém směru elektrostaticky nebo magneticky.

Pod1e poµadavků na kvalitu implantace, zvlá±tě nároků na homogenitu implantované fluence a čistotu svazku, je moµno schema zařízení na obr. 8 roz±iřovat nebo naopak redukovat. Často bývá urychlovací subsystém rozdělen na dvě části. Vzhledem k nárokům na separátor iontů se urychlení na konečnou poµadovanou hodnotu zařazuje aµ po separaci. Mezi clonu (4) a rozmítací elektrody (5) bývá zařazována čočka fokusující iontový svazek na terčík. Má-li se zabránit dopadu neutrálů na terčík, umis.ují se před elektrody rozmítací dal±í elektrody, kterén iontový svazek odklánějí do eměru k terčové komoře, zatímco svazek neutrálů zachovává přímý směr. Vysoká kvalita implantace je vyµadována předev±ím v polovodičových aplikacích, pro které řada firem vyrábí odpovídající sloµitá, a tudíµ drahá implantační zařízení. Tato zařízení lze po vhodných úpravách (iontového zdroje pro, implantaci poµadovaných příměsí a realizaci velkých fluencí a terčové komory pro uchycení předpokládaných objektů a pro případnou manipulaci s nimi) pouµít i pro strojírenské aplikace. Tak byl upravován např. implantátor firmy Varian/Extrion, model 200-20A 2F, nebo implantátor firmy Applied Implant Technology, model III-A.

Pro aplikace iontové implantace ve strojírenství se nekladou tak vysoké nároky na kvalitu iontového svazku jako v polovodičové technologii. Pro roz±ířenou implantaci dusíkových iontů ve strojírenských aplikacích je moµné implantátor podstatně zjednodu±it zejména proto, µe není nutný separátor první takový implantátor byl vyvinut v anglickém jaderném střediku AERE Harwell. V současné době ho vyrrábí firma TECVAC LTD pod označením TECVAC 221. Tento implantátor je v provozu na katedře fyziky strojní fakulty ČVUT v Praze.